基本数据 功能说明 应用说明 注意事项 其它

基本数据

 
Question 1

HT24LC系列 & HT93LC系列Serial EEPROM的差异为何?

Answer
 

Feature 2-Wire (HT24LCxx) 3-Wire (HT93LCxx)
Interface Serial data I/O, Clock Data in, Data out, Clock, CS
Clock Rate (max) 400K 2M
Page Write Yes No
Memory Organization X8 bit X8 bit or x16 bit
Write to All mode No Yes
Specific features Hardware write protect WP pin Software write protect EWDS instruction

 


Question 2

HT93LC系列的EEPROM封装分A、B两种,请问它们有何异同?MCU对它们进行读写操作时需要注意些什么?

Answer

它们之间只是引脚位置不同,MCU对其读写时软件完全一样。


应用说明

 

 


Question 1

如何去Reset一个HT93LCXX IC?

Answer

重新Toggle CS pin Low 即可 Reset HT93LCXX。


Question 2

我尝试在我的电路中使用一颗HT93LCXX IC,看起来Read动作还算正确,但是一直无法正确执行写入数据的动作,请问是什么问题?

Answer

这类的问题通常是由于在CS信号线转为Low前,未依照指令结构提供正确的位数,或CS信号线根本没有变成Low。数据写入的动作在CS信号线转为Low后才会动作。


Question 3

当我在对一颗HT93LCXX组件执行Write Command时,如果我在CS信号线变为Low之前,不小心给了太多或太少的Clocks,结果会如何?

Answer

一个完整的Write Command,是在CS信号线由High转为Low后才真正进入Write Cycle。如果你送了太多的Clock,这个写入指令仍会执行,但多余的Clock会被忽略;如果你送的Clock不够,那么这个写入指令无效,不会发生任何的写入动作。
Question 4

当我在使用一个HT93LCXX组件时,我是否必需在每一个指令中间执行Toggle CS pin Low的动作?

Answer

是的,你必须在每一个指令中间执行Toggle CS pin Low 的动作,而CS脉冲至少要有250ns宽。如果你正在执行Write Command,你必须Toggle CS pin Low已启动Write Cycle;当完成写入动作且你已侦测到一个Ready信号后,在你送出下一个Start Bit之前,你必须再Toggle CS pin Low。


Question 5

对HT93系列操作时,在两个不同的命令码发送之间,一定要将CS引脚拉低吗?

Answer

是的。而且在两个命令码之间CS拉低时间至少要保持250ns,如果工作电压在2.2V时候,CS的拉低时间至少要保持1000ns。要注意的是,如果此时你进行写操作,当你所要写的数据发送完毕,将CS拉低保持一定时间后拉高CS,在读到HT93系列给出的ready信号之后,你必须再一次作一次拉低CS的动作,才能给出你要进行的下一条命令码的START位,也就是说需要两次拉低CS引脚。


Question 6

对HT93系列写操作时,在判断DO引脚给出的READY信号时,我能否直接使用DELAY的方式来替代?

Answer

一般来説不太建议直接使用DELAY而不去判断 DO引脚的READY信号。因爲HT93系列操作时,只有在读到DO引脚给出的READY信号,才真正表明HT93系列的写操作确实已经成功完成。当然如果一味的等待DO引脚的READY信号可能容易造成程序的死循环,所以当采用此种模式时,建议在判断DO引脚时候多一个时间旗标的判断,在判断DO的READY信号时候如果超过了一定时间,则程序可以认爲此次操作失败。
当然如果客户一定需要使用DELAY的方式延迟的话,请给够足够的延迟时间(HT93系列为5ms),以免造成写操作失败。
Question 7

我的HT93 EEPROM的程序爲何只有WRITE和ERASE不行,而其它的操作都是通过的呢?

Answer

对HT93 EEPROM操作时需要注意的是,READ、ERASE和WRITE操作时,在写完操作码后的一个CLOCK并不送实际的有效地址,但是DI输出必须为0,否则此操作会无效,出现其它操作都通过而WRITE和ERASE不行的情况是因爲READ操作码最后一位为0,使得进入下一个CLOCK时的DI的输出为0。所以在进行WRITE和ERASE操作时必须注意这点,否则操作就会失败。

Question 8

什么往EEPROM中写数据后重新读出的数据总出现漏数或错数?

Answer

是因为没有正确使用读写命令。
写命令时候需注意,在开片选CS,给出时钟信号SK,并且在DI发出对应写指令的命令代码及地址与数据之后关片选,此时要在大于一个DS Deselect Time之后再开片选,并且观看DO PIN准位,在出现高准位后重新关片选,这才表明EEPROM写好数据并且校验完成,一个完整的写操作才结束。如果漏了后面的开及重新关片选的过程,后面再写数据将会出错;读命令时候需注意,在开片选CS,给出时钟信号SK,并且在DI发出对应读指令的命令代码及地址后,DO PIN此时将出现一个低准位,这时候需由SK再发出一个上升缘跳变,然后DO PIN才依次传出有效数据,再由SK给时钟信号顺序读取。如果漏了上述中的那个上升缘跳变直接把DO PIN的那个低准位起始位作为资料来读,将会把数据读错。


Question 9

往EEPROM中写数据总是写不进去是什么原因?

Answer

EEPROM有数据保护功能,在刚上电后或者在接收了EWDS擦写禁能指令后,即使向它发送擦写指令,都将修改不了EEPROM中的数据,
要想实现擦写其中数据必须先向它发送擦写致能指令EWEN。EEPROM接收到EWEN指令后,将一直生效,直到断电或接收到下一个EWDS指令才失效。
另外,在发送指令时,对应EWDS或EWEN的命令位数一定要与规格书中要求相符,所用指令才会生效,否则该指令无效,后面要往EEPROM中写数据将依然写不进去。


注意事项

 


Question 1

要写入资料到一颗HT93LCXX IC的步骤应该如何?

Answer

HT93LCXX组件在一开始接上电源时,它会直接进入EWDS状态(Erase/Write Disable),在此种状态下任何的写入/抹除指令都是无效的,所以您在执行写入数据前必须先执行EWEN指令(Erase/Write Enable),以启动组件于可抹除/写入状态,然后再执行Write指令。为了避免误写动作发生,建议您在完成写入动作后,接着送出一个EWDS指令来禁制所有的意外写入。

Question 2

该使用哪一种烧录器烧盛群的EEPROM?

Answer

请至盛群网站 www.holtek.com.tw --> 选择Technical Support a Supporting Tools --> 选择『Memory Programming』,此档案表列出经盛群认证之烧录器及其相关信息。


Question 3

若我使用的EEPROM烧录器机型或版本不在盛群网站上『Memory Programming』的表列中,请问如何得知此烧录器是否可烧录盛群EEPROM?

Answer

本公司仅针对盛群网站上『Memory Programming』表列的机型及版本予以认证,其它机型及版本请连上该制造商之网页或电话联络该制造商,以询问相关讯息。


Question 4

如何有效地烧录EEPROM?

Answer

1. 确认您的机器设备、软件版本有支持烧录该型号之组件。
2. 确认机器设备通过自我检查的项目。
3. 确认脚座是干净、没有氧化的。
4. 不要直接用手去接触组件,请用IC夹具。
5. 操作员、烧录器、工作桌永远要接地。
6. 确认IC与脚座接触良好。
7. 脚座在使用一段时间后,请记得更新。